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Los nuevos transistores MOS tridimensionales

La conferencia será sobre los requerimientos de los transistores MOS para resolver la reducción de dimensiones, la reducción de la potencia consumida y el incremento de la velocidad de operación en circuitos integrados con miles de millones de transistores. La solución actual es que los transistores pasen de estructuras bidimensionales a estructuras tridimensionales. Se explicaran las características de los transistores MOS tridimensionales conocidos como FinFETs, tanto de inversión como los “juctionless”.
 

Horario: 
2018 - 11:45 to 12:30
Sede: 
Sala 7 Palacio de Convenciones
Fecha de inicio: 
Viernes, Marzo 23, 2018

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