Los transistores actuales de efecto de campo
Dr. C. Antonio Cerdeira Altuzarra
Profesor-Investigador de Electrónica del Estado Sólido
Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN
México
: 21 de marzo de 2024
: 10:15 am
: Palacio de las Convenciones – Sala 7
Resumen:
Se presentará el desarrollo tecnológico de los dispositivos, circuitos integrados y aplicaciones de los transistores de efecto de campo (FET) desde su surgimiento hasta la actualidad, a través de dos grandes vertientes. Primero, los basados en silicio monocristalino como los FinFETs, los Nanohilos (Nanowires), los Transistores Apilados (Nanosheets), los Transistores de Tenedor (Forksheet) y los CFET; y como segundo, los basados en transistores de bajo costo como los TFT de óxidos semiconductores (AOSTFT) y los transistores con semiconductores bidimensionales (2D FETs).
